Характеристики используемого транзистора

Проектируемое устройство основано на кремниевом транзисторе КТ208Л. Транзистор типа КТ208Л - кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор, предназначенный для использования в импульсных, усилительных и других схемах.

Корпус металлический, герметичный, с гибкими выводами. Масса транзистора не более 0,7 г.

1) Электрические параметры:

Наименование	Обозна- чение	Значения	Режимы измерения
min	типов-ое	max	,В	, мА	, мА	f, кГц
Обратный ток коллектора, мкА					UКБ max
Обратный ток эмиттера, мкА (при )
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер, В				0,4
Напряжение насыщения база- эмиттер, В				1,5
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при нормальной рабочей температуре:   при Тс= +125 0С:   при Тс= - 600С:	h21Э	20						0,27     0,27   0,27
Модуль коэффициента передачи тока на высоких частотах	/h21Э/		4,5					0,27
Емкость коллекторного перехода, пФ
Емкость эмиттерного перехода, пФ (при Uэ=0,5 В)
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, МГц	fгр

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с=+25⁰…+125 ⁰С.

- Постоянный ток коллектора, А.	0,3
IК max - Импульсный ток коллектора, А (Гарантируется h 21Э ≥ 6, ≤0.7 B, ≥0.1 A)	0,5
IБ max – постоянный ток базы, А	0,1
UКБ max - Постоянное напряжение коллектор-база, В (При понижении Тс от +150 до -600С значения UКБ max, UКЭ max уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А-В; до 25 В для групп Г-Е; до 40 В для групп Ж-К; до 55 В для групп Л,М. UЭБ max уменьшится линейно до 15 В для групп Ж-M)
UКЭ max - Постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб£100 Ом),В (При понижении Тс от +150 до -600С значения UКБ max, UКЭ max уменьшаются по линейному закону до 10 В для групп А-В; до 25 В для групп Г-Е; до 40 В для групп Ж-К; до 55 В для групп Л,М. UЭБ max уменьшится линейно до 15 В для групп Ж-M)
UЭБ max - Постоянное напряжение эмиттер-база, В (Гарантируется h 21Э ≥ 6, ≤0.7 B, ≥0.1 A)
PК max - Постоянная рассеиваемая мощность, мВт
Допустимая температура окружающей среды, 0С	-600…+1250С

Рис. 1. Схема цепи питания и стабилизации

режима работы транзистора

Описание схемы:

Входной сигнал U _ВХ подается на базу транзистора через конденсатор С _Б. Усиленный сигнал U _ВЫХ снимается с резистора R _К и через конденсатор С _К подается в нагрузку. Конденсатор С _Б исключает влияние источника сигнала на режим работы транзистора по постоянному току. Конденсатор С _К исключает влияние нагрузки на режим работы транзистора по постоянному току.

Конденсаторы С _Б и С _К называют переходными или разделительными. В первом случае подчеркивается их роль по переменному току,а во втором случае – по постоянному току. Режим работы транзистора по постоянному току задается делителем напряжения в цепи базы R _Б1, R _Б2 и сопротивлением R _Э в цепи эмиттера. Делитель напряжения должен быть достаточно низкоомным, чтобы возможные в процессе эксплуатации изменения тока базы транзистора (например, при изменении температуры окружающей среды, смене транзистора и т. п.) не приводили к заметному изменению напряжения на базе транзистора. На практике ток делителя I _Д = E/ (R _Б1 + R _Б2) выбирают в 3÷10 раз больше тока базы. Чем больше ток делителя, тем стабильнее будет режим работы транзистора по постоянному току, но тем меньше будет входное сопротивление каскада и больше потребляемый ток. Резистор R _Э служит для стабилизации режима работы транзистора. Стабилизирующее действие резистора R _Э объясняется тем, что падение напряжения на нем является напряжением отрицательной обратной связи. Конденсатор в цепи эмиттера С _Э устраняет обратную связь по переменному току, что предотвращает снижение коэффициента усиления.