Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Топ:
Особенности труда и отдыха в условиях низких температур: К работам при низких температурах на открытом воздухе и в не отапливаемых помещениях допускаются лица не моложе 18 лет, прошедшие...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Интересное:
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Национальное богатство страны и его составляющие: для оценки элементов национального богатства используются...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
|
|
|
|
ТИПЫ МЕЖАТОМНОЙ СВЯЗИ И КЛАССИФИКАЦИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
По характеру сил связи твердые кристаллические тела можно разделить на четыре группы:
- ионные кристаллы, в которых основным видом связи является ионная;
- атомные кристаллы, в которых основные связи ковалентные;
- металлические кристаллы с характерной металлической связью;
- молекулярные кристаллы, в которых связь осуществляется в основном силами Ван-дер-Ваальса.
Число К ближайших соседей, окружающих ион (атом) в решетке, называют координационным числом решетки.
Атомные (ковалентные) кристаллы. Для уяснения природы ковалентной связи рассмотрим простейший пример взаимодействия двух атомов водорода (рис. 1. 13, а) .

Рис 1 13. К объяснению природы ковалентной связи в молекуле водорода:
а— схематическое изображение атомов водорода А и В; a, b — ядра атомов,
1 — электрон атома А, 2— электрон атома В,
б — распределение электронной плотности в системе из двух атомов водорода: 1 — распределение электронной плотности в изолированных атомах Н, 2 — электронная плотность, которая получилась бы при простом наложении электронных облаков изолированных атомов, сближенных до расстояния r 0, 3— действительное распределение плотности в молекуле Н 2
При r» 2 Ǻ наступает перекрытие электронных облаков этих атомов. Электроны в этом состоянии принадлежат одновременно обоим ядрам, обобществлены.
Энергию связи, возникающую в результате по-парного обобществления электронов, называют обменной.


Рис. 1.14. Схематическое изображение структуры
кристаллов с ковалентной связью: а — элементы группы IV B;
б —элементы группы V B;
Алмаз, кремний, германий являются элементами IV группы. Поэтому они имеют тетраэдрическую решетку, в которой каждый атом окружен четырьмя ближайшими соседями, как показано на рис. 1.14, а .
Ковалентные кристаллы обладают высокой прочностью, твердостью, имеют высокие точки плавления и теплоты сублимации.
ДЕФЕКТЫ РЕАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ
Примеси. Твердые тела всегда содержат примеси. Процесс растворения состоит в том, что примесные атомы внедряются в промежутки между атомами кристалла (рис. 1.15, а)или замещают часть этих атомов, размещаясь в узлах решетки (рис. 1.15, б). В первом случае твердый раствор называется раствором внедрения, во втором — раствором замещения. Присутствие чужеродных атомов вызывает искажение решетки.

Рис.1.15. Искажение кристаллической решетки в твердых растворах
внедрения(а)и замещения (б)
Дефекты по Френкелю и по Шоттки. При любой температуре в кристалле атомы, обладающие достаточно высокой энергией, могут удаляться на значительные расстояния от положений равновесия и преодолевать потенциальный барьер (рис. 1.16, а).Процесс сопровождается возникновением вакантного узла и атома в междоузлии. Такого рода дефекты называются дефектами по Френкелю.
При полном испарении атом покидает поверхность кристалла, при частичном испарении он с поверхности переходит в положение над поверхностью (рис. 1.16, б). В поверхностном слое кристалла образуется вакансия. Путем замещения вакансия перемещается внутрь кристалла. Такого рода вакансии называют дефектами по Шоттки.
ДИФФУЗИЯ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
Диффузию чужеродных атомов в решетке данного вещества называют гетеродиффузией, или диффузией.

Рис. 1 17. Потенциальный барьер U, отделяющий
|
|
|
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!