Раздел 2. Исследование полупроводниковых приборов

1. Задание: Исследовать параметры полупроводниковых диодов

Порядок выполнения работы:

1.1. Запустите программу EWB 5.12.

1.2. Соберите схему для исследования параметров полупроводниковых диодов:

1.2.1. Из библиотеки компонентов источников питания Sources на поле поместите источник заданного напряжения и заземление – .

1.2.2. Из библиотеки пассивных элементов Basic на поле поместите резистор , подстроечный резистор и ключ .

1.2.3. Из библиотеки индикаторных устройств Indicators поместите амперметры и вольтметры .

1.2.4. Из библиотеки Diodes на поле поместить диод .

1.2.5. Соедините все компоненты по схеме. Установите необходимые параметры компонентов:

1.3. Снимите вольтамперные характеристики диода, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20% Увеличение можно производить нажатием клавиши «R», уменьшение – «Shift+R». Шаг увеличения/уменьшения можно задать.

1.3.1. Исследуйте прямую ветвь диода. Для переключения ключа используйте клавишу Space (Пробел).

1.3.2. Исследуйте обратную ветвь диода.

1.3.3. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения – два знака после запятой):

Прямая ветвь	Обратная ветвь
I, мА	U, мВ	I, мкА	U, В

1.4. Постройте график вольтамперной характеристики.

1.5. Измените температуру работы диода (для этого щелкните два раза на диоде и в появившемся окне «Diode Properties» выберите закладку «Analysis Setup» установите температуру равную 60° С) и повторите пункты 1.3. и 1.4.

2. Задание: Исследовать параметры стабилитрона {модуль 1 глава 1.4}.

2.1. Соберите схему для исследования параметров стабилитрона.

Схема аналогична схеме для исследования параметров полупроводникового диода. Из библиотеки Diodes на рабочее поле поместите стабилитрон:

2.2. Снимите вольтамперные характеристики стабилитрона, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20%:

2.2.1. Исследуйте прямую ветвь стабилитрона. Для переключения ключа используйте клавишу Space (Пробел).

2.2.2. Исследуйте обратную ветвь стабилитрона.

2.2.3. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения – два знака после запятой):

Прямая ветвь	Обратная ветвь
I, мА	U, мВ	I, мА	U, В

2.3. Постройте график вольтамперной характеристики стабилитрона.

2.4. Измените температуру работы стабилитрона и повторите пункты 2.2. и 2.3.

3. Задание: Исследовать параметры транзистора {модуль 1 глава 1.5}.

3.1. Из библиотеки транзисторов Transistors поместите на поле p-n-p транзистор . Соберите схему для исследования параметров транзистора:

3.2. Снимите семейство входных и выходных характеристик биполярного транзистора, меняя значение подстроечного резистора от 0% до 100% через интервал 20%. Полученные данные занесите в таблицу (точность измерения два знака после запятой):

	Uкб=12 В (R2=100%)	Uкб=7,2 В (R2=60%)	Uкб=2,4 В (R2=20%)	Uкб=0 В (R2=0%)
Iэ=19,69 мА (R1=100%)
Iэ=9,35 мА (R1=80%)
Iэ=3,24 мА (R1=40%)
Iэ=0 мА (R1=0%)
	Iк, мА	Iк, мА	Iк, мА	Iк, мА	Uэб, мВ

3.3. Построить графики входных и выходных характеристик транзистора:

I_Э=f(U_ЭБ) при U_КБ=const

I_К=f(U_КБ) при I_Э=const

3.4. По характеристикам транзистора определить его параметры h_11б и h_21б при Uкб=0 В и Iэ = 3,24 мА.

3.5. Изменить температуру работы транзистора и повторите пункты 3.2. – 3.4.

4. Содержание отчета.

4.1. Таблицы результатов измерений п. 1.3. (для разных температур работы диода).

4.2. График ВАХ диода п. 1.4. (для разных температур работы диода).

4.3. Таблицы результатов измерений п. 2.2. (для разных температур работы стабилитрона);

4.4. График ВАХ стабилитрона п. 2.3. (для разных температур работы стабилитрона).

4.5. Таблицы результатов измерений п. 3.2. для разных температур работы транзистора.

4.6. Графики п. 3.3. для разных температур работы транзистора.

4.7. Решение задания п. 3.4.