Для увеличения обратного напряжения изготавливают так называемые диодные столбы , в которых последовательно соединены от 5 до 50 диодов с допустимым обратным напряжением от 2 до 40 кВ.

Высокочастотные и импульсные диоды – приборы универсального назначения: для выпрямления токов в широком диапазоне частот (до сотен мегагерц), генерации колебаний СВЧ-диапазона, модуляции сигналов, детектирования и других нелинейных преобразований.

Импульсные диоды используют в ключевых схемах c малoй длительностью импульсов (микро- и доли микросекунд), важнейшим свойством которых является малая длительность рекомбинации носителей заряда и восстановление обратного сопротивления за счет уменьшения так называемой барьерной ёмкости С _бар p-n -перехода

Стабилитрон – сильно легированный кремниевый диод, на котором напряжение сохраняется с определенной точностью при изменении протекающего через него тока в заданном диапазоне. Стабилитроны, в основном, используют в параметрических стабилизаторах напряжения (рис. 1.6, а), в которых максимальное напряжение на нагрузке U _н ограничено некоторой заданной величиной.

Рабочим участком ВАХ стабилитрона является участок обратной её ветви, соответствующий области обратного электрического пробоя p-n -перехода (рис. 1.6, б) и ограниченный минимальным и максимальным значениями тока.

При работе в этой области обратное напряжение на cтабилитроне U _ст мало изменяется при относительно больших изменениях тока стабилитрона I _ст. Например, при изменении входного напряжения

где ± U _б = R _б I; R _б – балластный резистор, на котором, в основном, изменяется напряжение, а напряжение U _н на нагрузке R _н почти не изменяется.

При прямом включении стабилитрон может рассматриваться как обычный диод, однако в связи с повышенной концентрацией примесей напряжение U _пр ≈ 0,3-0,4 В мало изменяется при значительных изменениях прямого тока I _пр. Прибор, в котором используется прямая ветвь в схемах стабилизации напряжения, называют стабистором.

Варикап – полупроводниковый диод, предназначенный для использования его ёмкости, управляемой обратным напряжением U _обр< (рис. 1.7, а).

В общем случае диод обладает барьерной и диффузионной ёмкостями. Барьерная ёмкость проявляется при приложении к p-n -переходу обратного изменяющегося во времени напряжения и протекании через него тока. При этом составляющая тока (ток смещения, появление которого связано с изменением объёмного заряда), не связанная с движением носителей заряда через p-n -переход, определяет барьерную ёмкость C _бар = | dq _бар/ dU |. Абсолютное значение отношения | dq _бар/ dU | взято потому, что объёмный заряд в p-n -переходе может быть положительным и отрицательным.

Диффузионную ёмкость обычно связывают с изменением инжектированных неосновных носителей заряда при изменении напряжения на диоде: C _диф = | dq _диф/ dU |. Диффузионная ёмкость проявляется при прямом смещении p-n -перехода диода.

В качестве варикапов используют диоды при обратном постоянном смещении, когда проявляется только барьерная ёмкость. Их применяют, в основном, в устройствах высоких и сверхвысоких частот, например, для настройки колебательных контуров.

Основн0й параметр варикапа - ёмкость С, измеренная между выводами варикапа при заданном обратном напряжении. Для различных варикапо ёмкость может быть от нескольких единиц до нескольких сотен пикофарад.

Приер  маркировки: варикап типа КВ110А (С = 12 пФ; U _обр = 45 В).