Вольт-фарадная характеристика является основной для

- транзистора

+ варикапа

- тиристора

- диода

- стабилитрона

 

 

Параметр варикапа на вольт-фарадной характеристике, обозначенный буквой «А», называется

+ максимальная емкость

- коэффициент перекрытия по емкости

- максимально допустимый ток

- минимальная емкость

 

 

Параметр варикапа на вольт-фарадной характеристике, обозначенный буквой «В», называется

+ минимальная емкость

- максимальная емкость

- коэффициент перекрытия по емкости

- максимально допустимый ток

 

 

Варикап включается в

- прямом направлении

+ обратном направлении

- как в прямом, так и в обратном направлении

 

 

На рисунке изображены вольтфарадные характеристики варикапов, изготовленных по различным технологиям. Найдите соответствие между номером кривой и технологией изготовления.

4кривая 1

5кривая 2

6кривая 3

0 планарно-эпитаксиальная технология

0 сплавная технология

0 диффузионная технология

 

Добротность варикапа на высоких частотах описывается формулой

+

-

-

 

Добротность варикапа с ростом частоты

- уменьшается

- увеличивается

- не изменяется

+ сначала увеличивается до некоторой f, затем уменьшается

- сначала уменьшается до некоторой f, затем увеличивается

 

В области низких частот добротность варикапа с ростом частоты

- уменьшается

+ увеличивается

- сначала увеличивается до некоторой f, затем уменьшается

- сначала уменьшается до некоторой f, затем увеличивается

- не изменяется

 

 

С ростом обратного напряжения добротность высокочастотного варикапа

+ увеличивается

- уменьшается

- не изменяется

 

 

Запишите номер вольт-амперной характеристики выпрямляющего контакта металла с полупроводником

1

 

 

Запишите номер вольт-амперной характеристики невыпрямляющего контакта металла с полупроводником

2

 

 

Диод Шоттки – это

+ диод с выпрямляющим контактом металл-полупроводник

- диод, образованный вырожденными полупроводниками

- емкость на основе p-n-перехода, управляемая обратным напряжением

 

 

В невыпрямляющем переходе "металл-полупроводник" приконтактный слой полупроводника

+ обогащен основными носителями

- обеднен основными носителями

- обеднен неосновными носителями

- обогащен неосновными носителями

 

Укажите номер рисунка с условным обозначением диода Шоттки.

- номер «5»

- номер «7»

- номер «8»

+ номер «9»

Диоды с барьером Шоттки отличаются от диодов с p-n- переходом следующими параметрами:

+ большим обратным током

- меньшим обратным током

+ лучшими динамическими свойствами

- худшими динамическими свойствами

+ меньшим прямым напряжением