Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Биохимия спиртового брожения: Основу технологии получения пива составляет спиртовое брожение, - при котором сахар превращается...
Топ:
Выпускная квалификационная работа: Основная часть ВКР, как правило, состоит из двух-трех глав, каждая из которых, в свою очередь...
Оценка эффективности инструментов коммуникационной политики: Внешние коммуникации - обмен информацией между организацией и её внешней средой...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного хозяйства...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Распространение рака на другие отдаленные от желудка органы: Характерных симптомов рака желудка не существует. Выраженные симптомы появляются, когда опухоль...
Подходы к решению темы фильма: Существует три основных типа исторического фильма, имеющих между собой много общего...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Более длительный dead-time требуется для MOSFET с большим значением заряда затвора из-за более высокого tf. Несмотря на то, что более короткий режим dead-time эффективен для достижения большей линейности в усилителях класса D, вероятность сквозного тока увеличивается с более узкими настройками dead-time. Отрицательные значения эффективного dead-time могут вызывать чрезмерное рассеяние тепла в полевых МОП-транзисторах, что может привести к их потенциальному повреждению.
Для расчета оптимального dead-time в конкретном приложении необходимо учитывать время спада tf как для HO, так и для LO в реальной схеме. Кроме того, изменения температуры и параметров устройства могут также влиять на эффективный мертвый момент в реальной цепи. Поэтому рекомендуется минимальный эффективный мертвый момент в 10 нс, чтобы избежать сквозного тока в диапазоне рабочих температур и напряжений питания.
Програмирование Dead-Time

IRS2092 (S) выбирает dead-time из заданных диапазонов в зависимости от напряжения, приложенного к выводу DT. Внутренний компаратор сравнивая вход DT с внутренними опорными напряжениями преобразовывает это в заданный dead-time. Эти внутренние опорные напряжения устанавливаются в IC через резистивный делитель напряжения с использованием VCC. Соотношение между режимом работы и напряжением на выводе DT показано на рисунке 17.
Dead-time

25nS
45nS
75nS
105nS
| VDT | |||||||
| 0.23xVcc 0.36xVcc 0.57xVcc | Vcc | ||||||

Figure 17 Dead Time vs. V DT
В таблице 3 приведены пары значений резисторов, используемых в делителе напряжения для выбора dead-time. При использовании этих значений, допустимы резисторы с допуском до 5%.
IRS2092(S)

>0.5mA Vcc

R1
DT
R2
COM
| Figure 18 External Voltage Divider | |||
| Dead-time Mode | R1 | R2 | DT/SD Voltage |
| DT1 | <10k | Open | Vcc |
| DT2 | 5.6kW | 4.7kW | 0.46 x Vcc |
| DT3 | 8.2kW | 3.3kW | 0.29 x Vcc |
| DT4 | Open | <10k | COM |
Таблица 3 Рекомендуемые значения резисторов для выбора Dead-time
| www.irf.com | AN-1138 | 13 |

Питание VAA и VSS
Существует два способа реализации питания VAA и VSS.
П итание VAA и VSS внешними стабилизаторами
Для достижения наилучших звуковых характеристик предпочтительно питать VAA и VSS внешними стабилизаторами, такие как трех терминальные стабилизаторы. Чтобы внутренние стабилитроны не проводили, напряжение питания должно быть VAA < VCLAMPM+ and VSS > VCLAMPM-.
Подходят стандартные стабилизаторы 7805 и 7905.
Когда для VAA и VSS используются регуляторы с импульсным режимом работы, необходимо применять двухступенчатый фильтр помех, как показано на рисунке 20, чтобы предотвратить влияние шума пульсаций на напряжения +/- 5V.
IRS2092(S)
| 10 | 10 | 1 | VAA | CSH | 16 | |
| +5V | ||||||
| 10µF | 2.2µF | 2 | GND | VB | 15 | |
| 3 | IN- | HO | 14 | |||
| 10nF | ||||||
| 4 | COMP | VS | 13 | |||
| 10µF | 2.2µF | 5 | CSD | VCC | 12 | |
| 10 | 10 | 6 | VSS | LO | 11 | |
| -5V | ||||||
| 7 | VREF | COM | 10 | |||
| 8 | OCSET | DT | 9 |

Figure 20 Supplying V AA and V SS from Switched Mode Power Supply
|
|
|
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
Особенности сооружения опор в сложных условиях: Сооружение ВЛ в районах с суровыми климатическими и тяжелыми геологическими условиями...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!