Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Топ:
Установка замедленного коксования: Чем выше температура и ниже давление, тем место разрыва углеродной цепи всё больше смещается к её концу и значительно возрастает...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Интересное:
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Уполаживание и террасирование склонов: Если глубина оврага более 5 м необходимо устройство берм. Варианты использования оврагов для градостроительных целей...
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Графический метод расчета громоздкий, неточный исключает возможность аналитического анализа, используется для наглядного представления положения рабочей точки. Аналитический расчет производится только для переменных составляющих напряжений и токов. В этом случае транзистор заменяется эквивалентной схемой, которая представляет собой схему, состоящую из линейных пассивных и активных элементов. Эта схема справедлива только в режиме малого сигнала, т.е. когда связь между приращениями токов и напряжений линейна.
Существует два вида эквивалентных схем: физическая, отражающая процессы, протекающие в транзисторе, и формальная, в которой транзистор представляется в виде четырехполюсника.
Физическая эквивалентная схема составляется для переменных токов и напряжений, но при условии, что эмиттерный переход находится под прямым напряжением, а коллекторный переход - под обратным напряжением, а амплитуды сигналов таковы, что транзистор работает в линейном режиме.
Широко применяется Т – образная эквивалентная схема (рис.18)

Рис.18. Физическая эквивалентная схема биполярного транзистора
В этой схеме обозначено:
·
- дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода включенного в прямом направлении. Обычно составляет несколько десятков Ом.
·
- дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, включенного в обратном направлении. Обычно составляет несколько сотен килом.
·
- объемное сопротивление базовой области. База выполняется с минимальной примесью, поэтому её сопротивление составляет порядка нескольких сотен Ом.
·
- дифференциальный коэффициент передачи по току при схеме включения с ОБ.
·
- емкость эмиттерного перехода, носит диффузионный характер, часто влияние этой емкости не учитывают, даже на сравнительно высоких частотах, т.к. она шунтирована малым сопротивлением
.
·
- емкость коллекторного перехода является барьерной емкостью, она оказывает сильное влияние на частотные свойства транзисторов.
Наибольшее распространение получила формальная эквивалентная схема, т.к. формальные параметры легко измеряются и приводятся в справочниках.
Формальная эквивалентная схема строится на представлении биполярного транзистора в виде четырехполюсника(рис.19).

Рис.19. Эквивалентная замена транзистора четырехполюсником
Если за зависимые переменные принять
и
, то их можно выразить через независимые переменные в виде уравнений
,
Значение
– параметров можно определить, проведя опыт короткого замыкания на выходе и опыт холостого хода на входе.
Опыт короткого замыкания на выходе
, тогда из системы уравнений следует
- входное сопротивление транзистора при схеме включения ОЭ;
- коэффициент передачи по току при схеме включения ОЭ.
Опыт холостого хода на входе
, тогда из системы уравнений следует
- коэффициент внутренней обратной связи при схеме включения с ОЭ;
- выходная проводимость при схеме включения с ОЭ.
На основе приведенных уравнений можно построить эквивалентную схему транзистора в системе
-параметров при включении с ОЭ (рис.20).

Рис.20. Эквивалентная схема транзистора при включении с ОЭ
На практике численные значения параметров, если они не приведены в справочниках, определяют по статическим характеристикам транзистора. Параметры зависят от схемы включения транзистора, что отмечается третьим индексом "э", "б" или "к", соответственно, для схем с ОЭ, ОБ или ОК. Покажем, как это делается, на примере схемы с ОЭ.
Параметры
и
определяют по входным характеристикам транзистора (рис.21).

Рис.21. Определение
- параметров по входной характеристике
В точке
строят характеристический треугольник. При перемещении из точки
в точку
напряжение
, т.е.
, а входное сопротивление
равно отношению катетов характеристического треугольника
.
Коэффициент внутренней обратной связи
находится при
(
), что соответствует переходу из точки
в точку 
,
где
.
Параметры
и
определяют по выходным характеристикам транзистора (рис.22).

Рис.22. Определение
- параметров по выходным характеристикам
Для того, чтобы в точке
определить параметр
, строят характеристический треугольник
. Тогда катетами треугольника будут приращения напряжения
и тока
, при выполнении условия
. Численное значение параметра определяют по формуле:

Для определения параметра
через точку
проводят вертикальную линию, которая пересекает две соседних выходных характеристики. Отрезок
пропорционален приращению тока
, а приращение тока базы равно разности токов, при которых сняты выходные характеристики, то есть
, при этом
. Следовательно,
,
где
-
.
|
|
|
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Типы оградительных сооружений в морском порту: По расположению оградительных сооружений в плане различают волноломы, обе оконечности...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Опора деревянной одностоечной и способы укрепление угловых опор: Опоры ВЛ - конструкции, предназначенные для поддерживания проводов на необходимой высоте над землей, водой...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!