Контроль аналоговых микросхем

Широкая номенклатура аналоговых ИМС предопределяет большое количество измеряемых параметров. Каждый тип аналоговой ИМС характеризуется совокупностью параметров.

Таблица 8.

Электрические параметры ТТЛ-ИМС различных серий

Параметр	Серии ТТЛ-ИМС
стандартные	высокого бы­стродействия	микромеш­ные	С диодами Шотки
	К155		K13I			К531
Входной ток «0» I0вх, мА, не более	-1,6	-1,6	-2,3	-2,3	-0,18	-2	-2
Входной ток «1» I1вх. мА, не более	0,04	0,04	0,07	0,07	0,012	0,05	0,05
Выходное напряжение «0» U0вых, В, не более	0,4	0,4	0,35	0,35	0,3	0,5	0,5
Выходное напряжение «1» U1вых, В, не менее	2,4	2,4	2,4	2,3	2,3	2,7	2.7
Коэффициент разветвле­ния по выходу n
Коэффициент объединения по выходу ИЛИ m						—	—
Время задержки распро­странения сигнала при включении t1,0зд.р., нс, не более
Время задержки распро­странения сигнала при вы­ключении t0,1зд.р., нс, не более						4,5	4,5
Средняя статическая мощ­ность потребления Рср, мВт. не более
Помехоустойчивость Uп, В, не более	0,4	0,4	0,4	0,4	0,35	0,5	0,5
Частота переключения f, МГц, не более

Таблица 9.

Предельно допустимые режимы эксплуатации для ТТЛ-ИМС различных серий

 

Параметр режима	Серии ТТЛ-ИМС
стандартные и высокого бы­стродействия	микромощные	с диодами Шотки
Максимальное напряжение питания Uип, В			5,5
Максимальное напряжение на входе Uвхmax, В	5,5	5,5	5,0
Максимальное напряжение, приложенное к выходу закры­той схемы, Uвых, В	5,25	5,5	5,5
Минимальное напряжение на входе Uвхmin, В	— 0,4	- 1,56	- 0,4
Максимальная емкостная на­грузка Си, пФ

Таблица 10.

Параметры ИМС ОУ общего применения

 

Параметр	КР140УД1	К140УД5	К140УД6	К140УД7	К140УД8	К140УД9	К140УД20*	К544УД1	КМ551УД2*	К533УД1	К533УД2	К1401УД1**	К140УД14	К1409УД1
Коэффициент усиления по напряжению Кu, В/мВ
Напряжение смещения нуля Uсм, мВ											7,5	—
Дрейф напряжения смещения, ∆Uсм/∆Т, мкВ/град		-					2,0				1,5		-	-
Входные токи Iвх, нА	8*103	104			0,2			0,15	-
Разность входных то­ков ∆Iвх, нА	1,5*103	5*103			0,15	—		0,05	—			—	0,2	1,2
Дрейф разности вход­ных токов ∆∆Iвх/∆Т, нА/град		-	0,1	0,4	-	1,5	0,5	-	-	—	—	—	—	0,02
Частота единичного усиления f1, МГц				0,8		—	0,55		0,8	—		2,5	0,3	—
Скорость нарастания выходного напряжения , В/мкс	0,5		2,5	До 10			0,3		0,03	-	0,5	0,5	—
Коэффициент ослабле­ния синфазного сигнала Кос.сф, дБ												—		—
Продолжение таблицы 10
Максимальный выход­ной ток Iвыхmax мА									2***	2***	2***			1,8***
Максимальное выходное напряжение Uвыхmax, В		6,5		11,5			11,5		11,5			-
Максимальное входное напряжение Uвхmax, В	1,5						-					-
Максимальное входное синфазное напряжение Uвх.сф.max, В												-	13,5
Напряжение источника питания Uип, В	±12,6	±12,6	±15,0	±15,0	±15,0	±12,6	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0	±15,0
Ток потребления Iпот, мА			2,8	2,8		-	2,8	3,5			8,5	—	0,6
Наличие внутренней коррекции	Нет	Нет	Есть	Есть	Есть	Есть	Есть	Есть	Нет	Нет	Нет	Есть	Нет	Есть
Наличие защиты вы­хода в режиме короткого замыкания	»	»	»	»	»	»	»	»	Есть	Есть	Есть	Нет	Есть	»

 

* Двухканальный ОУ, параметры одного канала.

** Четырёхканальный ОУ, параметры одного канала.

*** Минимальное значение сопротивления нагрузки, кОм.

Функциональный контроль

 

Функциональный контроль микросхем состоит в реализации функциональных тестов, подачи на микросхему определенного набора входных тест-сигналов, формирование выходных эталонных сигналов и получении результатов логического сравнения эталонного и фактического выходного набор-сигналов. Функциональный контроль может быть проведен следующим образом:

1) в составе устройства;

2) в сравнении с эталоном;

3) алгоритмической генерации сигналов;

4) кодовым сигналом;

5) по заданной программе.

 

Для БИС запоминающих устройств наиболее эффективны алгоритмические сигналы; для БИС микропроцессоров – сигналы по заданной программе; для матричных БИС – псевдослучайные входы.

Считается, что наиболее эффективным является не сам функциональный контроль, а функционально-параметрический контроль. Он обеспечивает одновременно контроль функционирования микросхемы и контроль статических и динамических параметров. В настоящее время разработано большое количество тестов:

1. Алгоритм теста «бег» (для контроля ОЗУ). Выполняемые операции:

а) в каждой ячейке ОЗУ последовательно производят 2 обращения: запись кода и считывания и контроль;

б) код первой ячейки изменяется на противоположный и последовательно контролируется содержимое всех основных ячеек;

в) восстанавливается предыдущее состояние первой ячейки;

г) повторяют операции б), в) последовательно для всех ячеек ОЗУ.

2. Алгоритм «марш»:

а) запись кода по всем адресам;

б) считывание и проверка записанного кода и запись обратного кода при переходе от первой ячейки к последующей;

в) считывание, проверка, запись обратного кода в той же последовательности;

г) считывание, проверка и запись обратного кода при переходе от последующей ячейки к первой;

д) снова считывание, проверка и запись обратного кода при переходе от последующей ячейки к первой.