Двойное оплодотворение у цветковых растений: Оплодотворение - это процесс слияния мужской и женской половых клеток с образованием зиготы...
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Топ:
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Интересное:
Мероприятия для защиты от морозного пучения грунтов: Инженерная защита от морозного (криогенного) пучения грунтов необходима для легких малоэтажных зданий и других сооружений...
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Наиболее распространенные виды рака: Раковая опухоль — это самостоятельное новообразование, которое может возникнуть и от повышенного давления...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Цель. Изучение свойств полупроводникового диода путем практического снятия его вольт-амперной характеристики и расчета параметров.
Расчетные формулы
– сопротивление постоянному току

дифференциальное сопротивление 

крутизна характеристики 
Схема 1
| Группа | Ф.И.О | Подпись | Дата |
| Лист |
| Выполнил |
| ||||
| Проверил |
Таблица.
| Тип диода: Д-243Б. Справочные данные:Uпр.=1,2 В; Iпр.=300 мА; Uобр.=200 В; Iобр.=3 мА. | ||||
| № п/п | Прямая ветвь | Обратная ветвь | ||
| Uпр., В | Iпр., мА | Uобр., В | Iобр., мкА | |
| 1. 2. 3. 4. 5. | ||||
Вольт-амперная характеристика диода
Вывод:
Контрольные вопросы.
1. Что называется полупроводниковым диодом?
2. Каковы особенности точечных и плоскостных диодов?
3. Расшифровать маркировку диода КД215А.
Лабораторная работа №11
Снятие входных и выходных характеристик полупроводникового транзистора
Цель. Научиться снимать опытным путем входные выходные характеристики полупроводникового транзистора и определять по ним статические параметры транзистора.

Схема для снятия входных и выходных характеристик полупроводникового транзистора.
Таблица №1.
(снятие входных характеристик)
| UК1=0 В | UК2=5 В | UК3=10 В | UК4=15 В | UК5=20 в | |||||
| UБ | IБ | UБ | IБ | UБ | IБ | UБ | IБ | UБ | IБ |
| В | мкА | В | мкА | В | мкА | В | мкА | В | мкА |
Таблица №2
(снятие выходных характеристик)
| IБ1 =5 мА | IБ2=10 мА | IБ3=15 мА | IБ4=20 мА | ||||
| UК | IК | UК | IК | UК | IК | UК | IК |
| В | мА | В | мА | В | мА | В | мА |
| Группа | Ф.И.О | Подпись | Дата |
| Лист |
| Выполнил |
| ||||
| Проверил |
Семейство входных характеристик
Семейство выходных характеристик
Вывод:
Контрольные вопросы
1. Что такое биполярный транзистор?
2. Почему транзистор называется биполярным?
3. Как называются выводы (области) биполярного транзистора?
4. Какие схемы включения биполярных транзисторов существуют?
5. Расшифровать маркировку транзистора ГТ115А.
Лабораторная работа № 12
Исследование устройства электронно-лучевого осциллографа
Цель. Ознакомиться с органами управления осциллографа, изучить правила
эксплуатации, научиться подключать осциллограф к исследуемой
схеме, научиться получать на экране и измерять параметры электри-
ческих процессов.

Схема 1. Наблюдение графика переменного тока.

График переменного тока.

Схема 2. Наблюдение графика выпрямленного переменного тока

Схема 3. Наблюдение графика вольтамперной характеристики
полупроводникового диода
| Группа | Ф.И.О | Подпись | Дата |
| Лист |
| Выполнил |
| ||||
| Проверил |
График переменного тока
Графики выпрямленного тока
Вывод:
Контрольные вопросы.
1. Что такое электронно-лучевой осциллограф?
2. Что является основной деталью электронно-лучевого осциллографа?
3. За чет чего возникает поток электронов в электронно-лучевой трубке?
4. Какой элемент формирует электронный луч и регулирует его яркость?
5. С помощью каких элементов создается ускоряющее электрическое поле для электронного луча?
Лабораторная работа № 13
|
|
|
Типы сооружений для обработки осадков: Септиками называются сооружения, в которых одновременно происходят осветление сточной жидкости...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!