Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
История развития пистолетов-пулеметов: Предпосылкой для возникновения пистолетов-пулеметов послужила давняя тенденция тяготения винтовок...
Топ:
Марксистская теория происхождения государства: По мнению Маркса и Энгельса, в основе развития общества, происходящих в нем изменений лежит...
Генеалогическое древо Султанов Османской империи: Османские правители, вначале, будучи еще бейлербеями Анатолии, женились на дочерях византийских императоров...
Техника безопасности при работе на пароконвектомате: К обслуживанию пароконвектомата допускаются лица, прошедшие технический минимум по эксплуатации оборудования...
Интересное:
Инженерная защита территорий, зданий и сооружений от опасных геологических процессов: Изучение оползневых явлений, оценка устойчивости склонов и проектирование противооползневых сооружений — актуальнейшие задачи, стоящие перед отечественными...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Задача 3.1
Подобрать тип силового тиристора для ключевого регулятора постоянного тока, работающего в импульсном режиме с частотой 400 Гц, коэффициентом заполнения g = 0,6, амплитудой тока Iu. max = 30 А, напряжением источника питания 150 В, скорость спада прямого тока 15 А/мкс, обратное напряжение не более
200 В.
Рассчитать параметры для проектирования охладителя к выбранному прибору, если температура окружающей среды 40 ºC. При решении задачи пренебречь динамическими потерями мощности в приборе.
Решение
1. В соответствии с заданными параметрами выбираем высокочастотный тиристор ТЧ 25-5 штыревого типа с параметрами среднего тока в открытом состоянии ITAV = 25 А для максимальной температуры кристалла Tj = 110 ºC.
По заданию средний ток, протекающий через прибор

Для ITAV температура корпуса тиристора Т с = 70 ºC. Допустимое обратное повторяющееся напряжение URRM = 500 В. Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии (d iT/ d t)crit = 200 А/мкс. Время включения тиристора
tt = 5 мкс, что составляет 4% от времени действия импульса тока tи = 120 мкс. Время выключения тиристора tg = 12-30 мкс, что позволяет выключить
тиристор за время паузы t п = 80 мкс. Тепловое сопротивление кристалл – корпус
R j-c = 0,6 ºC /Вт.
2. Рассчитаем потери мощности в приборе. Для тиристора прямое падение напряжения в открытом состоянии U oc= 3,05 В, тогда потери мощности
.
3. Определим тепловые сопротивления на отдельных участках перехода теплового потока в системе СПП – окружающая среда. Если известна допустимая температура нагрева корпуса СПП Tj = 70 ºC, то при полученном значении P птемпература кристалла тиристора согласно термоэлектрической эквивалентной схеме
.
По результатам расчета тепловой режим допустим для кристалла тиристора.
Рассчитаем тепловые сопротивления перехода охладитель - окружающая среда
.
Задача 3.2
Выбрать тип силового диода для работы в качестве выпрямителя тока с частотой 50 Гцна напряжение сети U (рис. 3.2). Амплитуда выпрямленного тока Im.
Рассчитать параметры для проектирования охладителя к выбранному прибору, если температура окружающей среды 40 ºC.

Рис. 3.2
Исходные данные
| Вариант | ||||||
| U c, В | ||||||
| Im, А |
Задача 3.3
Выбрать тип силового МОП транзистора, работающего в ключевом режиме c коэффициентом заполнения g (рис. 3.3).
Рассчитать параметры для проектирования охладителя к выбранному транзистору, если температура окружающей среды равна 40 ºC. При решении задачи пренебречь динамическими потерями мощности в приборе.

Рис. 3.3
Исходные данные
| Вариант | ||||||
| E, В | ||||||
| g | 0,8 | 0,7 | 0,9 | 0,8 | 0,7 | 0,9 |
| R н, Ом |
Задача 3.4
Рассчитать параметры для проектирования охладителя к силовому диоду штыревого типа (рис. 3.4). Полная мощность рассеяния диода PdS. Температура окружающей среды t.

Рис. 3.4
Исходные данные
| Вариант | ||||||
| PdS, Вт | ||||||
| t, 0С |
Задача 3.5
Рассчитать параметры для проектирования охладителя к силовому тиристору, таблеточного типа (рис. 3.5). Полная мощность рассеяния тиристора PdS. Тепловое сопротивление перехода кристалл-корпус Rj-с. Температура окружающей среды t.

Рис. 3.5
Исходные данные
| Вариант | ||||||
| PdS, Вт | ||||||
| t, ºC |
Задача 3.6
Рассчитать параметры для проектирования охладителя к силовому IGBT- транзистору (рис. 3.6). Полная мощность рассеяния транзистора PdS. Тепловое сопротивление перехода кристалл-корпус Rj-c. Температура окружающей среды t.

Рис. 3.6
Исходные данные
| Вариант | ||||||
| PdS, Вт | ||||||
| t, 0С |
Пассивные элементы
Задача 4.1
Для сглаживания пульсации постоянного входного напряжения U вх установлен Г-образный LC фильтр, состоящий из L Ф и C Ф (рис. 4.1). Задан коэфициент сглаживания фильтра S 1 на частоте основной гармоники пульсации f 1. На этой частоте можно принебречь влиянием эквалентной собственной индуктивности конденсатора L Э. Определить изменение коэффициента сглаживания фильтра при изменении частоты основной гармоники пульсации до f 2 для 2-х случаев:
а) без учёта влияния собственной индуктивности конденсатора L э;
б) с учётом влияния на этой частоте индуктивности L э.

Рис. 4.1
Исходные данные
| Дано | Значения | Найти |
| f 1 , Гц | S 2 | |
| С ф, мкФ | ||
| S 1 | ||
| L э, мкГн | ||
| f 2, кГц |
Решение
а) Коэффициент сглаживания LC -фильтра для гармонической составляющей с круговой частотой w (на холостом ходу) равен отношению модулей сопротивления LC -цепи и сопротивления конденсатора, т.е.

На частоте w1 = 2p f 1 = 2p 102рад/скоэффициент S = 10.
При изменении частоты до значения w2 = 2p f 2= 2p 105 рад/c без учёта влияния L э получим
.
б) Учитывая собственную индуктивность конденсатора L э можем записать
.
Очевидно, что L э<< L ф, поэтому можем пренебречь значением L э во втором сомножителе и учесть его только в первом сомножителе, где L э стоит в знаменателе и оказывает существенное влияние при больших w. Пренебрегая указанным образом и учитывая, что L ф× C ф×w 2 –1=1,1×107 (из а)очевидно, что это просто есть значение коэффициента сглаживания без учёта паразитной индуктивности конденсатора), а также, используя заданные значения L э и C ф получаем
.
Задача 4.2
Определить коэффициент сглаживания S Г-образного RC -фильтра в цепи постоянного тока (рис. 4.2) для гармонической составляющей пульсации частотой f. Сопротивление резистора фильтра R. Конденсатор имеет следующие значения параметров схемы замещения из последовательно соединённых элементов СS; rS; LS.

Рис. 4.2. Последовательная схема замещения конденсатора
Исходные данные
| Вариант | Найти | ||||||
| f, кГц | S | ||||||
| R, Ом | 0,5 | 0,5 | |||||
| СS,мкФ | |||||||
| rS, Ом | 0,1 | 0,2 | 0,1 | 0,5 | 0,05 | ||
| LS, мкГн | |||||||
Задача 4.3
В конденсаторе переменного тока емкостью C (рис. 4.3)при частоте f и действующем значении синусоидального напряжения U с выделяется активная мощность Р. Какая мощность будет выделяться, если частота напряжения станет равной 2f, при условии, что тангенс угла потерь конденсатора и диэлектрическая проницаемость его диэлектрика от частоты не зависят?
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| С, мкФ | P | |||||||||||||
| f, Гц | ||||||||||||||
| U c , B | ||||||||||||||
| P, Bт | ||||||||||||||
Задача 4.4
На входе выпрямителя, имеющего прямоугольную схему входного тока на частоте, включены LC -фильтры, шунтирующие 3-ю и 5-ю гармоники входного тока выпрямителя. Конденсаторы шунтирующих цепей имеют одинаковую емкость, а индуктивности фильтров обеспечивают условия резонанса для соответствующих гармоник. Какими будут значения амплитуд 3-й и 5-й гармоник тока, поступающих в сеть, если частота сети увеличится на 10 %? Эквивалентное входное сопротивление сети со стороны выпрямителя имеет индуктивный характер и представлено в схеме эквивалентной индуктивностью L э.

Рис. 4.3
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| L э, мкГн | i c3 i c5 | |||||||||||||
| C, мкФ | ||||||||||||||
Задача 4.5
Как изменится резонансная частота LC -цепи, состоящая из параллельно соединённых реактора с индуктивностью L и конденсатора с емкостью С, если учесть последовательную собственную индуктивность конденсатора L э.

Рис. 4.4. Последовательная схема замещения конденсатора
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| L, мкГн | D f | |||||||||||||
| С, мкФ | ||||||||||||||
| L э, мкГн | 0,05 | 0,02 | 0,01 | 0,1 | 0,03 | |||||||||
Задача 4.6
На вход Г-образного LC -фильтра в цепи переменного тока поступает напряжение прямоугольной формы с амплитудой E max. Длительность прямоугольного импульса t вкл, а период Т. Определить действующее значение напряжения U вых на выходе фильтра, учитывая 1-ю, 2-ю и 3-ю гармонические составляющие и потери активной мощности в конденсаторе. Индуктивность последовательного реактора фильтра L Ф . Схему замещения конденсатора можно представить состоящей из последовательно соединённых резистора RS, индуктивности LS и конденсатора CS.

а) б)
Рис. 4.5. Последовательная схема замещения конденсатора
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| E max , В | U вых | |||||||||||||
| t вкл, мс | ||||||||||||||
| L ф, мкГн | ||||||||||||||
| RS , Ом | 0,1 | 0,2 | 0,2 | 0,1 | 0,2 | |||||||||
| LS, мкГн | ||||||||||||||
| C S , мкФ | ||||||||||||||
| Т, мс | ||||||||||||||
Задача 4.7
Определить действующее значение I нд тока нагрузки в схеме с магнитным ключом. Выходное напряжение имеет синусоидальную форму с амплитудой Um и частотой f.
Магнитопривод ключа Ts имеет идеальную кривую намагничивания, площадь поперечного сечения магнитопровода S и количество витков W.
а)
|
б)
|
Рис. 4.6
Исходные данные
| Дано | Значения | Найти |
| Um,B | I нд | |
| R н ,Ом | ||
| Bm , Tл | 1,2 | |
| f, Гц | ||
| W | ||
| S, см2 | 1,5 |
Решение
Задержка на включение магнитного ключа t 1 определяется его перемагничиванием.

в)
Рис. 4.6 (продолжение)
По закону электромагнитной индукции
, пренебрегая рассеянием магнитного поля, можно записать в виде:
.
Интегрируя левую и правую часть получаем:





Задача 4.8
Определить среднее значение напряжения на нагрузке в схеме с магнитным ключом. Выходное напряжение имеет заданную форму, амплитуду Um и частоту f (рис.4.7 а, б).
Магнитопривод ключа Ts имеет идеальную кривую намагничивания, площадь поперечного сечения магнитопровода S, и количество витков W.
а)
|
б)
|
Рис. 4.7
Исходные данные
| Вариант | Найти | |||||||||||||
| Um, В | U ср | |||||||||||||
| R н, Ом | ||||||||||||||
| Bm, Тл | 1,5 | 1,3 | 1,4 | 1,0 | 1,5 | |||||||||
| f, Гц | ||||||||||||||
| W | ||||||||||||||
| S, см2 | 1,4 | 1,3 | 1,2 | 2,0 | 1,4 | |||||||||
| Форма напряжения | Рис.4.7 в | Рис. 4.7 г | Рис. 4.7 д | Рис.4.7 г | Рис.4.7 в | |||||||||
Формы напряжения:
в)
|
г)
|

д)
Рис. 4.7 (продолжение)
|
|
|
Общие условия выбора системы дренажа: Система дренажа выбирается в зависимости от характера защищаемого...
Автоматическое растормаживание колес: Тормозные устройства колес предназначены для уменьшения длины пробега и улучшения маневрирования ВС при...
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!