Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов (88‰)...
Индивидуальные и групповые автопоилки: для животных. Схемы и конструкции...
Топ:
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Организация стока поверхностных вод: Наибольшее количество влаги на земном шаре испаряется с поверхности морей и океанов...
Методика измерений сопротивления растеканию тока анодного заземления: Анодный заземлитель (анод) – проводник, погруженный в электролитическую среду (грунт, раствор электролита) и подключенный к положительному...
Интересное:
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Лечение прогрессирующих форм рака: Одним из наиболее важных достижений экспериментальной химиотерапии опухолей, начатой в 60-х и реализованной в 70-х годах, является...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Для описания кристаллических многогранников и структур применяется метод кристаллографического индицирования. В кристаллографии всегда пользуются правой системой координат. Система координат выбирается в соответствии с симметрией кристалла, а значит, может быть и не прямоугольной. Оси координат выбираются по осям симметрии или по нормалям к плоскостям симметрии, а их нет, как в кристаллах низшей категории, то по ребрам кристаллического многогранника или рядам кристаллической решетки. Правила выбора направлений координатных осей (правила кристаллографической установки) отображены в табл.Таблица 3.
Грани кристаллического многогранника, а значит, и все бесконечное количество плоских сеток характеризуются определенным наклоном к выбранной системе координат. Если некоторая грань отсекает от координатных осей отрезки ma, nb, pc то отношение чисел m: n: p характеризует наклон грани к осям координат, для всего множества плоскостей можно доказать*, что эти отношения можно представить как взаимно простые числа (p: q: r), которые названы параметрами Вейсса [10]. В кристаллографии принято характеризовать плоскости не параметрами Вейсса, а индексами Миллера – величинами, обратными параметрам Вейса, приведенным к целым числам:
:
:
= h: k: l (2)
Числа h, k, l называют индейками плоскости, если их записать подряд и в круглых скобках, то это символы плоскости, грани (семейства граней).
Таблица 3 – Правила кристаллографической установки кристаллов
| Категория | Сингония | Принятое расположение осей | Форма элементарной ячейки | Примечания |
| Низшая | Триклинная | По ребрам кристалла | Косоугольный параллелепипед | Обязательное условие c<a<b |
| Моноклинная | Ось Y вдоль ось L2 или перпендикулярно m | Прямая призма, в основании которой параллелограмм | Существует вторая установка: ось L2 или нормаль к m располагают вдоль Z, соответственно меняются и направления других осей. | |
| Ромбическая | Оси X, Y, Z параллельно оси L2 или перпендикулярны m | Прямоугольный параллелепипед | ||
| Средняя | Тригональная | Главная ось вдоль Z, остальные в плоскости X, Y | Призма, в основании которой ромб с углом 120° | Можно также выбирать ячейку в виде ромбоэдра, так что a=b=c, a=b=g=120°. Вдоль оси L3 (L3i) направляется ось Z |
| Гексагональная | ||||
| Тетрагональная | Призма с квадратным основанием | |||
| Высшая | Кубическая | Оси X, Y, Z параллельны трем взаимно перпендикулярным осям L2 или L4или L4i | Куб |
Метод описания граней с помощью индексов и символов был установлен задолго до открытия решетчатой структуры кристалла, он основывался на эмпирическом законе кристаллографии – законе целых чисел (закон Гаюи):
Для любых двух граней кристалла двойные отношения параметров равны отношению малых целых чисел. Наклон всякой грани кристалла можно определить тремя целыми числами, если за оси координат выбрать направление трех ребер кристалла, а за параметры – отрезки, отсекаемые на этих осях одной из граней кристалла.
:
:
=p: q: r (3)
где p, q, r целые взаимно простые числа для реальных кристаллов малые (£ 5) числа, ОА, ОВ, ОС – отрезки которые отсекает единичная грань на осях координат (о правилах выбора единичной грани будет сказано далее).
|
|
|
Археология об основании Рима: Новые раскопки проясняют и такой острый дискуссионный вопрос, как дата самого возникновения Рима...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Семя – орган полового размножения и расселения растений: наружи у семян имеется плотный покров – кожура...
История развития хранилищ для нефти: Первые склады нефти появились в XVII веке. Они представляли собой землянные ямы-амбара глубиной 4…5 м...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!