Механическое удерживание земляных масс: Механическое удерживание земляных масс на склоне обеспечивают контрфорсными сооружениями различных конструкций...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Топ:
Оснащения врачебно-сестринской бригады.
Комплексной системы оценки состояния охраны труда на производственном объекте (КСОТ-П): Цели и задачи Комплексной системы оценки состояния охраны труда и определению факторов рисков по охране труда...
Когда производится ограждение поезда, остановившегося на перегоне: Во всех случаях немедленно должно быть ограждено место препятствия для движения поездов на смежном пути двухпутного...
Интересное:
Влияние предпринимательской среды на эффективное функционирование предприятия: Предпринимательская среда – это совокупность внешних и внутренних факторов, оказывающих влияние на функционирование фирмы...
Берегоукрепление оползневых склонов: На прибрежных склонах основной причиной развития оползневых процессов является подмыв водами рек естественных склонов...
Принципы управления денежными потоками: одним из методов контроля за состоянием денежной наличности является...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
Допустимая температура для кремниевых диодов составляет
- 60 0С
+ 1200С
- 2500С
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Допустимая температура для германиевых диодов составляет
+ 60 0С
- 120 0С
- 250 0С
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Преимуществом германиевых выпрямительных диодов перед кремниевыми является
- более высокое обратное напряжение
- минимальный обратный ток
- более высокая допустимая температура
+ небольшое падение напряжения на переходе при прямом включении
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики диодов, выполненных из Ge, Si, GaAs. Укажите номера кривых (1-6), принадлежащих германиевому диоду
ширина запрещенной зоны полупроводников ΔWGe=0.69 эВ, ΔWSi =1.12 эВ, ΔW GaAs =1.43 эВ
+ 1 и 6
- 1 и 4
- 2 и 5
- 3 и 4
- 3 и 6
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображены вольт-амперные характеристики p-n-переходов, выполненных из Ge, Si, GaAs. Укажите номера кривых (1-6), принадлежащих арсенид-галлиевому диоду
ширина запрещенной зоны полупроводников ΔWGe=0.69 эВ, ΔWSi =1.12 эВ, ΔW GaAs =1.43 эВ
- 1 и 6
- 1 и 4
- 2 и 5
+ 3 и 4
- 3 и 6
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Емкость высокочастотных диодов
+ должна иметь малое значение
- должна быть как можно больше
- может быть любой
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите номер рисунка, на котором изображена вольт-амперная характеристика выпрямительного диода. 
-номер «1»
-номер «2»
-номер «3»
+номер «4»
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Для генерации электрических сигналов используют диоды
- импульсные
+ туннельные
- стабилитроны
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Мкость варикапа с увеличением абсолютного значения обратного напряжения
- увеличивается
+ уменьшается
- не изменяется
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Диод на основе p-n-перехода, емкость которого при обратном включении зависит от приложенного напряжения, называется
- варистор
- вариконд
+ варикап
- варактор
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Варикап – это полупроводниковый диод,...
- напряжение стабилизации которого меняется в широких пределах
- который используется для генерации и усиления электрических колебаний
+ емкость которого меняется в широких пределах при изменении приложенного напряжения
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Параметр варикапа, обозначенный буквой «А» на вольт-фарадной характеристике, называется 
+ максимальная емкость
- коэффициент перекрытия по емкости
- максимально допустимый ток
- минимальная емкость
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Параметр варикапа, обозначенный буквой «В» на вольт-фарадной характеристике, называется 
- максимальная емкость
- коэффициент перекрытия по емкости
- максимально допустимый ток
+ минимальная емкость
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Варикап включается в
- прямом направлении
+ обратном направлении
- как в прямом, так и в обратном направлении
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Добротность варикапа на высоких частотах описывается формулой(ω-циклическая частота, Сбар-барьерная емкость, rпер-сопротвление перехода, rб- сопротивление базы)
+ 
- 
- 
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Диод Шоттки – это диод
+ с выпрямляющим контактом металл-полупроводник
- с невыпрямляющим контактом металл-полупроводник
- на основе вырожденных полупроводников
- на основе полупроводников с различным типом проводимости (p-n-переход)
- диод на основе различных по химическому составу полупроводников (Ge-GaAs)
##theme 1
##score 2
##type 2
##time 0:00:00
Стабистор включается в
+ прямом направлении
- обратном направлении
- как в прямом, так и в обратном направлении
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Стабилитрон включается в
- прямом направлении
+ обратном направлении
- как в прямом, так и в обратном направлении
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Туннельный диод – это диод,
+ с высокой концентрацией примесей (1019-1020 см–3) в областях полупроводника
+ обладающий малой толщиной запирающего слоя
- имеющий малую площадь электрического перехода
- имеющий малую барьерную емкость
-все ответы правильные
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
У туннельных диодов отношение пикового тока I п к току впадины - I в - определяет
- усилительные свойства
- генераторные свойства
+ переключательные свойства
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Диак – это
- динистор
+ симистор
- тринистор
+ прибор, имеющий два вывода
- прибор, имеющий три вывода
##theme 3
##score 2
##type 2
##time 0:00:00
Триак - это
+ симистор
- динистор
- прибор, имеющий два вывода
+ прибор, имеющий три вывода
##theme 3
##score 2
##type 2
##time 0:00:00
Динистор – это
- диак
- симистор
- тринистор
+ прибор, имеющий два вывода
- прибор, имеющий три вывода
##theme 3
##score 1
##type 2
##time 0:00:00
Допустимая температура для кремниевых диодов составляет
- 60 0С
+ 1200С
- 2500С
##theme 1
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
|
|
|
Индивидуальные очистные сооружения: К классу индивидуальных очистных сооружений относят сооружения, пропускная способность которых...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
История создания датчика движения: Первый прибор для обнаружения движения был изобретен немецким физиком Генрихом Герцем...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!