В активном режиме в переходах биполярного транзистора происходят следующие процессы

+ инжекция основных носителей заряда - через эмиттерный переход

- инжекция основных носителей заряда - через коллекторный переход

- экстракция неосновных носителей заряда - через эмиттерный переход

+ экстракция неосновных носителей заряда - через коллекторный переход

- инжекция неосновных носителей заряда - через оба перехода

- экстракция основных носителей заряда - через оба перехода

 

 

##theme 2

##score 3

##type 2

##time 0:00:00

Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке.

+ транзистор n-p-n-типа

- транзистор p-n-p-типа

- в схеме с общей базой

+ в схеме с общим эмиттером

- в схеме с общим коллектором

- в активном режиме

+ в инверсном режиме

- в режиме отсечки

- в режиме насыщения

 

 

##theme 2

##score 3

##type 2

##time 0:00:00

Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке.

- транзистор n-p-n-типа

+ транзистор p-n-p-типа

- в схеме с общей базой

+ в схеме с общим эмиттером

- в схеме с общим коллектором

+ в активном режиме

- в инверсном режиме

- в режиме отсечки

- в режиме насыщения

 

 

##theme 2

##score 3

##type 2

##time 0:00:00

Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке.

+ транзистор n-p-n-типа

- транзистор p-n-p-типа

- в схеме с общей базой

+ в схеме с общим эмиттером

- в схеме с общим коллектором

+ в активном режиме

- в инверсном режиме

- в режиме отсечки

- в режиме насыщения

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Основной режим работы биполярного транзистора в усилительных устройствах

+ активный режим

- инверсный режим

- режим отсечки

- режим насыщения

 

 

##theme 2

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

Основными условиями для обеспечения усилительных свойств биполярного транзистора являются

+ толщина базы должна быть мала

- площадь коллекторного p-n-перехода меньше площади эмиттерного

- концентрация основных носителей в базе больше чем в эмиттере

+ концентрация основных носителей в базе мала по сравнению с эмиттером и коллектором

- концентрация основных носителей в базе больше, чем в коллекторе

+ площадь коллекторного p-n-перехода больше площади эмиттерного

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

В активном режиме электрическое поле обратно смещенного коллекторного перехода является ускоряющим для

+ неосновных носителей базы

- неосновных носителей эмиттера

- основных носителей базы

- основных носителей коллектора

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p в активном режиме, это

+ перемещение дырок из эмиттера в базу

- перемещение дырок из базы в эмиттер

- перемещение дырок из базы в коллектор

- перемещение электронов из базы в коллектор

 

 

##theme 2

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Экстракция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p в активном режиме, это

- перемещение дырок из базы в эмиттер

+ перемещение дырок из базы в коллектор

- перемещение дырок из коллектора в базу

- перемещение электронов из базы в коллектор

 

 

##theme 2

##score 3

##type 4

##time 0:00:00