Архитектура электронного правительства: Единая архитектура – это методологический подход при создании системы управления государства, который строится...
Папиллярные узоры пальцев рук - маркер спортивных способностей: дерматоглифические признаки формируются на 3-5 месяце беременности, не изменяются в течение жизни...
Топ:
Характеристика АТП и сварочно-жестяницкого участка: Транспорт в настоящее время является одной из важнейших отраслей народного...
Устройство и оснащение процедурного кабинета: Решающая роль в обеспечении правильного лечения пациентов отводится процедурной медсестре...
Интересное:
Как мы говорим и как мы слушаем: общение можно сравнить с огромным зонтиком, под которым скрыто все...
Финансовый рынок и его значение в управлении денежными потоками на современном этапе: любому предприятию для расширения производства и увеличения прибыли нужны...
Средства для ингаляционного наркоза: Наркоз наступает в результате вдыхания (ингаляции) средств, которое осуществляют или с помощью маски...
Дисциплины:
|
из
5.00
|
Заказать работу |
Содержание книги
Поиск на нашем сайте
|
|
|
|
5 h11
8 h12
7 h21
6 h22
0 
0 
0
0 
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора - h21
+ 
- 
- 
- 
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора - h22
- 
- 
+ 
- 
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора – h11
- 
+ 
- 
- 
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите выражение для вычисления параметра биполярного транзистора - h12
- 
- 
- 
+ 
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h21б. 
-номер1
+номер 2
-номер 3
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h22э. 
-номер1
-номер 2
+номер 3
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h12э. 
-номер 1
+номер 2
-номер 3
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите семейство характеристик, по которому можно найти параметр h11б. 
+номер 1
-номер 2
-номер 3
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите формулу, определяющую значение элемента, отмеченного цифрой "1", эквивалентной схемы, изображенной на рисунке. Предполагается, что биполярный транзистор работает в схеме с общей базой. 
- 
- 
+ 
- 
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Укажите формулу, определяющую значение элемента, отмеченного цифрой "1", эквивалентной схемы, изображенной на рисунке. Предполагается, что биполярный транзистор работает в схеме с общим эмиттером. 
+ 
- 
- 
- 
##theme 2
##score 2
##type 3
##time 0:00:00
Введите номер эквивалентной схемы биполярного транзистора для системы h -параметров. 
1
##theme 2
##score 2
##type 3
##time 0:00:00
Введите номер эквивалентной схемы биполярного транзистора для системы Y-параметров. 
2
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Определить изменение напряжения Δ Uэб, если при неизменном напряжении коллектора, ток эмиттера изменяется с 4 мА до 6 мА. Входное сопротивление транзистора в режиме короткого замыкания на выходе по переменному току h11=10 Ом.
- 20 В
+ 20 мВ
- 5 мВ
- 40 мВ
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображено распределение потенциалов в биполярном p-n-p –транзисторе, отсутствию напряжений соответствует линия «4». Укажите номер линии, соответствующей работе транзистора в активном режиме. 
-номер «1»
+номер «2»
-номер «3»
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображено распределение потенциалов в биполярном p-n-p –транзисторе, отсутствию напряжений соответствует линия «4». Укажите номер линии, соответствующей работе транзистора в режиме отсечки. 
-номер «1»
-номер «2»
+номер «3»
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На рисунке изображено распределение потенциалов в биполярном p-n-p –транзисторе, отсутствию напряжений соответствует линия «4». Укажите номер линии, соответствующей работе транзистора в режиме насыщения. 
+номер «1»
-номер «2»
-номер «3»
##theme 2
##score 1
##type 3
##time 0:00:00
Введите номер зависимости коэффициента усиления по току от частоты биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. 
2
##theme 2
##score 1
##type 3
##time 0:00:00
Введите номер зависимости коэффициента усиления по току от частоты биполярного транзистора, включенного по схеме с общей базой 
1
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Определите по частотной характеристике биполярного транзистора граничную частоту. 
- 1 МГц
- 10 МГц
+ 100 МГц
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Определите по частотной характеристике биполярного транзистора предельную частоту. 
- 1 МГц
+ 10 МГц
- 100 МГц
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Предельная частота транзистора w пр=10 МГц. Определить коэффициент передачи тока эмиттера a на частоте 17,3 МГц, если на низких частотах он равен 0,96. 
+ 0,48
- 0,58
- 0,78
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Предельная частота транзистора w пр=5 МГц. Определить коэффициент передачи тока базы β на частоте 8,66 МГц, если на низких частотах он равен 96. 
+ 48
- 58
- 78
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Если частота будет выше предельной в √ 3 раз, коэффициент передачи по току транзистора уменьшится 
+ в 2 раза
- в √3 раз
- в 4 раза
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
На низких частотах коэффициент усиления по току h 21б=0,95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен
+ 0,671
- 0,7
- 1
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
На низких частотах коэффициент усиления по току h21б=0,9. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен
+ 0,636
- 0,707
- 1
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
На низких частотах коэффициент усиления по току h21э=95. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен
+ 67,1
- 70,7
- 1
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
На низких частотах коэффициент усиления по току h21э=60. Коэффициент передачи по току на предельной частоте w пр равен
+ 42,4
- 30
- 1
##theme 2
##score 2
##type 1
##time 0:00:00
Если предельная частота транзистора, включенного в схеме с общим эмиттером 10 МГц, коэффициент усиления 70, то предельная частота в схеме с общей базой -

+ 710 МГц
- 690 МГц
- 100 МГц
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
Если предельная частота биполярного транзистора, включенного в схеме с общей базой 100 МГц, коэффициент усиления 0,98, то предельная частота в схеме с общим эмиттером -

+ 2 МГц
- 98 МГц
- 10 МГц
- 20 МГц
##theme 2
##score 1
##type 1
##time 0:00:00
|
|
|
Эмиссия газов от очистных сооружений канализации: В последние годы внимание мирового сообщества сосредоточено на экологических проблемах...
Адаптации растений и животных к жизни в горах: Большое значение для жизни организмов в горах имеют степень расчленения, крутизна и экспозиционные различия склонов...
Кормораздатчик мобильный электрифицированный: схема и процесс работы устройства...
Состав сооружений: решетки и песколовки: Решетки – это первое устройство в схеме очистных сооружений. Они представляют...
© cyberpediasu.com 2017-2026 - Не является автором материалов. Исключительное право сохранено за автором текста.
Если вы не хотите, чтобы данный материал был у нас на сайте, перейдите по ссылке: Нарушение авторских прав. Мы поможем в написании вашей работы!